Talos F200S 总束电流:>150nA 探针电流:1nA@1nm探针(200 kV) EDS系统:2 SDD无窗设计,shutter保护 能量分辨率:≤136 eV,对Mn-Kalpha和10kcps(输出) 快速EDS:像素驻留时间低至10 us Talos F200X 明场X-FEG:1.8×109 A/cm2 srad(@200kV) 总束电流:>50nA 探针电流:2nA@1nm探针(200 kV);0.4 nA@0.31nm探针 EDS系统:2 SDD无窗设计,shutter保护 能量分辨率:≤136 eV,对Mn-Kalpha和10kcps(输出) 快速EDS:像素驻留时间低至10 us
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